SiC 8英寸衬底实现规模化供货,12英寸外延全球首发,GaN相关技术取得突破;超宽禁带半导体多项技术实现国际首发。 展望2026年,经历了行业的规模化增量,2026年产业将朝着提质增效方向深化发展,预计第三代半导体功率及射频电子产值增速有望达到15%以上。 &nb
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发布时间:20:09:08